非常适用于各种电源装置的PFC电路，可大幅改善工作时效率
全球知名半导体制造商ROHM开发出非常适用于服务器和高端计算机等的电源PFC电路※1的、第3代SiC(Silicon Carbide:碳化硅)肖特基势垒二极管(以下称SiC-SBD) SCS3系列。

　　本产品采用新结构，不仅继承了量产中的第2代SiC-SBD所实现的业界最低正向电压※2(VF=1.35V、25℃)的特性，同时还确保了高抗浪涌电流特性。因此，还可用于服务器和高端计算机等的电源PFC电路，非常有助于提高应用的效率。
本产品已于2016年3月开始出售样品，计划于2016年4月开始逐步投入量产。前期工序的生产基地为ROHM Apollo Co., Ltd. (日本福冈县)，后期工序的生产基地为ROHM Korea Corporation(韩国)。
今后，ROHM将通过扩大SiC元器件产品的阵容，继续为电力电子设备的节能化作出贡献。
<背景>
近年来，在太阳能发电系统、工业用各种电源装置、电动汽车及家电等电力电子领域，为提高功率转换效率以实现进一步节能，更高效率的功率元器件产品备受期待。SiC器件与以往的Si器件相比，具有优异的材料特性，在这些领域中的应用日益广泛。尤其是在服务器等这类要求更高电源效率的设备电源中，SiC-SBD产品因其快速恢复特性可有效提高效率而被用于PFC电路来提高设备效率。在这些用途中，抗浪涌电流※3特性成为重要的参数。一直以来，ROHM的第1代、第2代SiC-SBD产品均深获客户好评。为了进一步扩大应用范围，ROHM 采用新产品结构，成功开发出保持业界最高水平的低VF特性、并实现高抗浪涌电流特性的产品。

<特点>
1. 保持低VF特性，实现高抗浪涌电流能力
此次开发的第3代SiC-SBDSCS3系列，为实现高抗浪涌电流能力，采用了JBS(Junction Barrier schottky)结构。以往的结构是可有效提高抗浪涌电流能力、并改善泄漏特性的结构，而ROHM的第3代最新产品，不仅具备以往产品的特点，而且还进一步改善了第2代SiC-SBD所实现的低VF特性，将作为更高性能的产品大展身手。